МИЭТ

Национальный
исследовательский
университет

Орден трудового красного знамени
Рейтинг QS

Современные проблемы технологии наноэлектроники

Авторы:Проф., д.т.н. Королев Михаил Александрович
Красюков Антон Юрьевич, к.т.н.,доц
Поломошнов Сергей Александрович к.т.н., доцент

Описание курса

Дисциплина «Современные проблемы технологии наноэлектроники» относится к базовой части цикла профессиональных дисциплин. Примерным учебным планом и примерной рабочей программой дисциплины предусмотрены аудиторные лекционные занятия, а также самостоятельная работа студентов. Эффективное развитие наноэлектроники и нанофотоэлектроники в настоящее время в значительной степени сдерживается технологическими возможностями создания реальных приборов и устройств в указанных выше направлениях. Магистр, подготовленный в рамках курса «Современные проблемы технологии наноэлектроники» должен, с одной стороны, хорошо представлять себе те явления и процессы, на которых основано приборное направление, а с другой стороны, свободно владеть методами и средствами технологии микроэлектроники, которая постоянно совершенствуется, привлекая возможности принципиально новых путей развития, включая биологические объекты, органические полупроводники и т.д. Кроме того, арсенал возможностей нанотехнологии для наноэлектроники и нанофотоэлектроники оказывается, с одной стороны, значительно шире, чем традиционный арсенал твердотельной микроэлектроники, а с другой - включает в себя большое количество возможностей, ранее микроэлектроникой не использованных. Это означает, что подготовленные для реализации нанотехнологии выпускники должны владеть знаниями и навыками из пограничных областей, включая, например, органический синтез, методы молекулярной биологии и т.д. Курс включает также углубленное представление о свойствах используемых материалов, их потенциальных возможностях и, что особенно важно, о свойствах реально существующих монокристаллических, поликристаллических и других объектов. Особую роль в подготовке современных специалистов для наноэлектроники играет детальное представление о существующих структурных дефектах, вероятности их генерации при выращивании кристалла и в ходе других технологических процессов. Реализация методов нанотехнологии невозможна без современных знаний о самоорганизации структур, включая структуры с радиационными и другими дефектами. Методы нанотехнологии в значительной степени основаны на знании таких процессов, как самоорганизация, стимулированные процессы, включая радиационно- стимулированные. Курс рассчитан на студентов, овладевших базовыми представлениями о квантово-размерных эффектах, особенностями их реализации на известных материалах и структурах, а также реально представляющих существующие в настоящее время и потенциальные проблемы при дальнейшем развитии направления. В задачи изучаемой дисциплины входит также изучение основных технологических процессов, с помощью которых в настоящее время создаются наноразмерные элементы и структуры, а также формирование представления о наиболее эффективных методах контроля параметров и свойств формируемых наноразмерных объектов.