МИЭТ

Национальный
исследовательский
университет

Орден трудового красного знамени
Рейтинг QS
Кафедра интегральной электроники и микросистем  
Заведующий кафедрой: академик РАН, д.т.н., профессор Юрий Александрович Чаплыгин
телефон: (499) 720-87-24, факс: (499) 710-19-65, внутренний телефон: 29-24, 25-95
E-mail: ieem@miee.ru
Аудитория: 4238

Магистры 2012

1 Ахмадеев Р.Г. Исследование и разработка антиконфликтного протокола для LF RFID меток.
2 Воротников А.А. Разработка метода автоматизированного синтеза топологии комбинационных логических элементов.
3 Галаневич С.Д. Исследование и разработка ячейки энергонезависимой памяти с фазовыми переходами.
4 Гиниятуллин Р.М. Исследование свойств тонких пленок Ti, TiN рентгенооптическими и оптическими методами.
5 Голованов А.В. Исследование и разработка маршрута проектирования СБИС СОЗУ по технологии 90 нм.
6 Гудков Д.Н. Исследование и разработка методологии тестирования СОЗУ с топологическими нормами 90 нм.
7 Давыденок А.А. Разработка топологии быстродействующего 12-разрядного АЦП конвейерного типа, выполненного по технологии КНИ 0,25 мкм.
8 Денисова Д.Ю. Разработка электрической модели ячейки ЭСППЗУ (EEPROM) памяти для режимов чтения, записи и стирания.
9 Дмитриев Я.А. Исследование и разработка функциональной схемы массива памяти пассивной RFID-метки.
10 Дубков С.В. Разработка технологии создания конденсаторной структуры высокой емкости на основе углеродных наноструктур.
11 Евдокимов В.Д. Исследование и разработка СВЧ кремний-германиевого гетеропереходного биполярного транзистора для
интеграции в БиКМОП маршрут с проектными нормами 90 нм
12 Егорова Н.В. Исследование и разработка схемотехнических методов построения интегральных ФАПЧ-синтезаторов с высокой стабильностью частоты.
13 Ильин А.Ф. Исследование и разработка методов построения тактового генератора.
14 Ильин Е.Ю. Исследование формирования щелевой изоляции для приборов наноэлектроники с топологическими нормами 90 нм средствами технологии химического осаждения оксида кремния из газовой фазы в плазме высокой плотности.
15 Ильина Е.В. Разработка универсального макета для обработки сигналов с применением цифровых фильтров, реализованных на ПЛИС фирмы Xilinx.
16 Карташев С.С. Исследование и разработка схемотехнической модели ячейки flash-памяти в составе схемы управления памятью с последовательным доступом.
17 Копцев Д.А. Исследование и разработка способов построения схем приемника и передатчика стандарта LVDS.
18 Копыстыренский А.А. Исследование особенностей процессов измерения параметров, влияющих на надежность изделий с топологическими нормами 180 и 90 нм.
19 Королев Д.В. Исследование способов снижения потребляемой мощности цифрового приемника информации для RFID СВЧ диапазона.
20 Куприянова М.А. Разработка и исследование способа передачи данных при помощи высокоскоростного проводного интерфейса.
21 Лебедев Е.В. Разработка процесса сращивания подложек с помощью металлических тонких пленок для 3D-сборки.
22 Луковников А.Н. Исследование возможности создания ячейки flash-памяти с проектными нормами 90 нм на базе КМОП-маршрута с проектными нормами 180 нм.
23 Мальцева И.С. Исследование и разработка синхронного повышающего DC-DC преобразователя, выполненного по технологии КНИ 0,25мкм.
24 Милованов Д.В. Исследование влияния параметров процесса нитридизации подзатворного оксида кремния на приборные характеристики МОП-транзисторов.
25 Нагасова Д.А. Исследование влияния параметров контроля шероховатости фотошаблонных заготовок для субмикронных технологий.
26 Окунев Н.В. Исследование и разработка приемника LVDS с топологическими нормами 180 нм с пониженным энергопотреблением.
27 Петухов Д.С. Исследование конструктивно-технологических особенностей создания ячейки памяти на основе МОНОП структуры с проектными нормами 90 нм.
28 Пирогов П.П. Исследование и разработка систем цифровой коррекции для конвейерных АЦП по технологии 0,09 мкм.
29 Плаксин В.Г. Исследование особенностей формирования переходных контактных окон многоуровневой металлизации СБИС.
30 Полончиков И.А. Исследование и разработка DC-DC преобразователя с накачкой зарядом конденсатора.
31 Потапов Г.Н. Оптимизация процессов жидкостной химической обработки формирования щелевой изоляции для технологии 90 нм.
32 Потемкина А.М. Исследование методов оптимизации элементов логических устройств по занимаемой площади.
33 Скотников И.В. Исследование и разработка ячейки flash-памяти с проектными нормами 90 нм.
34 Трутаева М.В. Адаптация процессов плазмохимического травления кремния и поликремния для технологии производства щелевого МОП-транзистора.
35 Тургенев П.В. Исследование технических решений для уменьшения площади и увеличения быстродействия СОЗУ и их применение в разработке СФ блока СОЗУ 4 Мбит
36 Ушакова У.А. Разработка методики проектирования СВЧ интегральных высокодобротных фильтров.
37 Фомичева Н.Н. Исследование технических решений построения микросхем ПЗУ и разработка на их основе СФ блока ПЗУ 4 Мбит по технологии КНИ 0,25 мкм.
38 Шпагилев Ф.И. Разработка 12-разрядного АЦП последовательного приближения с пониженным энергопотреблением.
39 Шувалов А.В. Исследование и разработка маршрута межоперационного контроля для технологических процессов с проектными нормами 180-90 нм.
40 Шулятьев А.С. Создание упорядоченного массива эмиссионных нанокатодов для приборов функциональной электроники.
41 Шумик В.Ю. Разработка высокочастотных DC-DC преобразователей напряжения с использованием методов цифровой компенсации.
42 Эзенкин А.А. Исследование и разработка схем защиты от электростатического разряда для использования в метках радиочастотной идентификации.
43 Яковлев А.В. Разработка и автоматизация маршрута проектирования топологии параметризованных логических ячеек для аналоговых блоков с использованием средств САПР Cadence.
44 Янпольский В.С. Исследование и разработка СВЧ МОП-варикапа с проектными нормами 90 нм.