МИЭТ

Национальный
исследовательский
университет

Орден трудового красного знамени
Рейтинг QS
Кафедра интегральной электроники и микросистем  
Заведующий кафедрой: академик РАН, д.т.н., профессор Юрий Александрович Чаплыгин
телефон: (499) 720-87-24, факс: (499) 710-19-65, внутренний телефон: 29-24, 25-95
E-mail: ieem@miee.ru
Аудитория: 4238

Магистры 2011

1 Айрумянц П.Э. Исследование и разработка технологического процесса коррекции топологической структуры фотошаблонов при производстве СБИС.
2 Акулова Е.А. Разработка и исследование блока распределенного аналого-цифрового преобразователя для многоэлементных КМОП приемников изображения.
3 Арефьев Ф.Л. Исследование влияния RC задержки и режимов гетероэпитаксии на стойкость КНС ОЗУ к импульсному ионизирующему излучению.
4 Беляев А.А. Разработка модуля сжатия изображений методом ДИКМ для систем дистанционного зондирования Земли
5 Бучарский К.М. Исследование влияния конструктивно-технологических факторов на формирование глубоких сквозных контактов в трехмерных ИС на основе вертикального объединения нескольких кристаллов
6 Волков А.А. Исследование и оптимизация процесса вскрытия контактных окон в планаризующем слое металлизации ИС
7 Девликамов Р.Р. Анализ иерархии и планирование системы на кристалле «Эльбрус-2S», реализуемой по технологии 65 нм
8 Еренбург И.М. Разработка программного модуля для увеличения объема покрытия регистрового файла МП фирмы "Элвис" стандартными тестами
9 Ермаков И.В. Разработка ИС контактного идентификационного 36-разрядного устройства с ЭСППЗУ и проектными нормами 0,18 мкм
10 Еськов П.Б. Разработка контроллера прерываний с привязкой времени для вычислительного комплекса «Эльбрус-90 м»
11 Иванин В.А. Исследование и оптимизация технологии полиимидной защиты ИС
12 Иванникова А.Е. Исследование и оптимизация отбракованных испытаний для микросхемы 1890В М2Т
13 Катютин А.С. Исследование и разработка усовершенствованного метода функционального контроля изделия 1890ВМ2Т
14 Кашурников А.С. Исследование и разработка технологического процесса устранения и коррекции непрозрачных структур маскирующего покрытия фотошаблонов
15 Клестова Е.С. Разработка методики рентгеновского контроля микросхем на этапе сборки с использованием функции томографии
16 Козлов Е.В. Разработка сложно-функционального блока демультиплексора транзисторного потока
17 Козлов С.В. Исследование влияния конструктивных особенностей субмикронных КНИ МОП транзисторов на электрофизические параметры
18 Колокольникова И.С. Исследование и разработка технологического процесса формирования скрытого изображения топологического рисунка фотошаблона повышенного разрешения на лазерном генераторе изображений ЭМ-5189
19 Кончакова Е.А. Исследование и разработка низкопотребляющих МОП транзисторов по технологии 130 нм
20 Короткова Т.А. Разработка транзисторов с напряжением питания 3,3 В для схем ввода/вывода и их интеграция в КМОП - технологию 0,13 мкм
21 Костюков Д.А. Разработка и исследование процесса глубокого анизотропного плазменного травления кремния при использовании реактора высокоплатной индуктивно связанной плазмы
22 Краснюков Е.А. Исследование методов понижения потребляемой мощности и проектирование системы распределения питания на этапе физического проектирования микропроцессора Эльбрус-2S
23 Лекомцев А.В. Разработка мониторинга термических операций технологического маршрута изготовления микросхем с EEPROM
24 Лобанова Е.Ю. Разработка программных и аппаратных средств контроля микросхемы 1886ВЕ1
25 Лопатин Ф.В. Исследование и разработка конструкции латерального магнитотранзистора для микросистемы контроля 3-х компонент вектора магнитной индукции.
26 Лосевской А.Ю. Исследование и анализ схем извлечения уникальной информации о кристалле физически неклонируемой функцией на кольцевых осцилляторах в приложении к генерации ключей для систем шифрования
27 Майорова А.С. Разработка комплексной методики исследования и экстракции плотности поверхностных состояний в кремниевых МДП-транзисторах
28 Мартынов И.В. Исследование влияния толщины эпитаксиального слоя при переходе с 0,6 мкм на 0,3 мкм на параметры МОП КНС транзистора
29 Новак А.В. Разработка и исследование процесса формирования слоев поликристаллического кремния для создания конденсатора с повышенной удельной емкостью
30 Пацюк А.А. Разработка программного модуля принятия решений при перемещении производственных партий
31 Перетятько А.И. Исследование и разработка SOG планаризации с использованием метилсилоксановых SOG материалов
32 Подгурский О.Ю. Исследование возможности применения метода карт годности для анализа промышленных партий микроконтроллера с энергозависимой памятью
33 Разживин Н.А. Исследование и оптимизация процесса реактивно-ионного травления поликристаллического кремния с использованием сложения высокоплотно низкотемпературной трансформаторно-связанной плазмы
34 Растеряев А.В. Исследование и разработка процесса реактивно-ионного травления планаризующего слоя (SOG)
35 Савченко А.С. Исследование свойств подзатворного окисла, выращенного на объемных и эпитаксиальных пластинах кремния
36 Самойлова Д.А. Исследование влияния температурного воздействия на механические свойства алюминиевой микропроволки в составе МС
37 Сафонов С.О. Разработка программы статической и графической обработки данных тестового контроля на этапе разработки технологии
38 Смирнов А.В. Разработка транзакционной модели шины в соответствии с протоколом АМВА 2.0 АНВ с использованием средств языка SystemC
39 Соловьев И.В. Разработка целочисленного синтезатора частот диапазона 5 ГГц на основе SiGe БиКМОП технологии
40 Чуканов А.В. Исследование и разработка процессов ионного легирования карбида кремния двухзарядными ионами бора для формирования диодов Шоттки
41 Шалигин К.А. Повышение глобальной планарности после процесса химико-механической полировки
42 Шихова Т.С. Исследование влияния изменения маршрута изготовления БиКМОП ИС (0,18 мкм) при создании SiGe структур на параметры схемных элементов тестового кристалла.
43 Шлегель И.В. Исследование влияния режимов технологических операций на эффективную длину канала субмикронного КНС транзистора.