МИЭТ

Национальный
исследовательский
университет

Орден трудового красного знамени
Рейтинг QS
Кафедра интегральной электроники и микросистем  
Заведующий кафедрой: академик РАН, д.т.н., профессор Юрий Александрович Чаплыгин
телефон: (499) 720-87-24, факс: (499) 710-19-65, внутренний телефон: 29-24, 25-95
E-mail: ieem@miee.ru
Аудитория: 4238

Специалисты 2012

1 Алексеев А.С. Разработка магнитооптического визуализатора информации.
2 Артемьев Е.М. Проектирование Hi-Fi усилителя мощности звуковой частоты на базе ИМС LM1875T.
3 Блинникова Е.Ю. Разработка алгоритма балансировки датчика угловых скоростей.
4 Бобовников П.Г. Разработка технологии формирования наноалмазных эмиттеров интегральных элементов и исследование их эмиссионных свойств.
5 Болычев Д.И. Исследование технологии доставки сверхчистого гелия в производстве интегральных схем с топологией 0,18 мкм на пластинах диаметром 200 мм.
6 Быстров С.А. Разработка ячейки выдачи команд управления бортового радиотехнического комплекса
7 Вавуло И.И. Разработка цифрового осциллографа на основе микроконтроллера STM32.
8 Вальщиков Д.А. Клеточно-автоматное моделирование роста нанокластеров кремния при отжиге слоя SiOХ
9 Геращенко Д.А. Разработка блока арифметического устройства для модулярной
логарифметики.
10 Демченко Е.Н. Исследование возможности применения вертикального двухколлекторного биполярного магнитотранзистора в составе датчика магнитного поля в автомобильной электронике.
11 Емец Д.А. Разработка конструкции магниторезистивного преобразователя с нечетной характеристикой.
12 Журавлев П.Б. Разработка устройства для согласования аналогового сигнала радиостанции с интерфейсом RS-485.
13 Каньшин Д.С. Разработка процесса плазмохимического травления контактных окон на установке LAM-590 для КМОП интегральных схем.
14 Капитоненко М.В. Перспективы использования взрывной фотолитографии при создании трехслойной металлизации V-Al-V в производстве МОП ИМС.
15 Ковшенков М.В. Разработка технологического маршрута изготовления монолитных ИС на основе туннельно-резонансных диодах и транзисторах с затвором Шоттки на InP подложках.
16 Краюшкин А.О. Разработка конструкции биполярного транзистора средствами моделирования.
17 Кузенко М.В. Выбор и оптимизация конструкции и технологии изготовления высокоинтегрированных коммутационных плат для перспективных
многокристальных модулей космического назначения.
18 Лебедев Д.Д. Исследование автоэмиссионных свойств наноструктурированных материалов.
19 Махмутов Т.К. Разработка конструкции и технологии анизотропного магниторезистивного преобразователя с нечетной характеристикой вход-выход для автоматизированных систем управления
20 Мишенков И.Г. Разработка функциональных устройств на программируемых логических структурах.
21 Мкртичян Р.Ю. Исследование основных этапов процесса химико-механической планаризации и его использование в производстве интегральных микросхем с технологической нормой 180 нм.
22 Новиков С.С. Разработка тестера программатора для контроля параметров и программирования радиочастотного идентификатора с однократно программируемым ПЗУ.
23 Орлов Е.П. Разработка технологии изготовления интегральных магниторезистивных преобразователей на основе многослойных тонкопленочных наноструктур.
24 Пахомов А.А. Разработка конструктивно-технологической модели импульсного источника питания 50Гц 12В 1А.
25 Перевезенцев А.А. Разработка системы контроля линейных размеров элементов, не учитывающую клин травления после операций ЖХТ в производстве ИС.
26 Полунина Т.С. Разработка ячейки включения блока управления системы приема и преобразования информации космического аппарата дистанционного зондирования Земли.
27 Привалов А.А. Разработка ячейки вторичного источника питания блока запоминающего устройства системы приема и преобразования информации космического аппарата дистанционного зондирования Земли.
28 Расулов М.М. Разработка стенда комплексной удаленной наладки вычислительных систем на базе микропроцессоров архитектуры Эльбрус.
29 Ровшанзода М.Р. Разработка последовательного интерфейса передачи данных для среднескоростных и низкоскоростных периферийных устройств в вычислительной технике.
30 Рязанцев Д.В. Исследование отказов латерального ДМОП транзистора при воздействии тяжелых заряженных частиц методами математического моделирования.
31 Семенова А.С. Разработка усовершенствованной технологии сборки блока СВЧ на основе двухслойных плат.
32 Серегин Д.И. Оптимизация высоковольтного транзистора, изготавливаемого в стандартном КМОП процессе.
33 Сильверстов Д.В. Исследование эффекта туннелирования Фаулера-Нордхейма для режима перепрограммирования элемента памяти с плавающим затвором с проектной нормой 0,18 мкм.
34 Смирнов А.С. Исследование параметров элемента памяти на основе SONOS структуры.
35 Смирнов И.Б. Исследование методов адаптации технологии изготовления микросхемы КР1446ХК1 в процессе перехода с производственной линии 100 мм на линию 150 мм.
36 Соловьев А.А. Разработка процесса химико-динамического травления полупроводниковых мембран для СВЧ варикапов.
37 Суворов И.В. Разработка универсального зарядного устройства для аккумуляторных батарей электромобиля.
38 Тахов В.С. Разработка конструкции и технологии изготовления двумерной матрицы на основе магниторезистивных структур для биосенсорного устройства
39 Тен М.В. Создание металлизации на основе сплава РС 3710 для резисторов высокой точности на установке «Оратория-29П».
40 Терехов Д.Э. Разработка и исследование МЭМС переключательных элементов для коммутационных устройств.
41 Тутаров Д.В. Разработка узла делителей частоты на 2 и на 4 для аналого-цифровой БИС термокомпенсированного опорного кварцевого генератора на основе аналогового БМК
42 Февралева Ю.Ю. Разработка устройства управления на основе интерфейса CAN 2.0В для блока оптико-электронного преобразования
43 Фокичев А.С. Разработка блока управления и цифровой обработки системы ориентации и стабилизации космического аппарата.
44 Цуканов П.А. Оптимизация блока процессорного управления оптико-электронным преобразователем дистанционного зондирования Земли
45 Червяков А.С. Отработка технологии формирования нанографитовых автоэмиссионных элементов с характеристиками TVS-диодов.
46 Черкасов В.С. Исследование влияния соотношения компонентов рабочей смеси в процессе ПХТ в производстве интегральных микросхем
диаметром 200 мм.
47 Чернышов С.А. Разработка и исследование технологического маршрута снабжения раствором аммиака производства интегральных схем с топологической нормой 0,18 мкм на подложек диаметром 200 мм.
48 Шабаев А.С. Комплексная разработка блока запоминающего устройства малого космического аппарата для фундаментальных космических исследований.
49 Шапиро Д.О. Процесс очистки азота и его использование в производстве интегральных схем.
50 Шатунов М.Е. Разработка фотоприемного модуля для регистрации и анализа импульсного ИК излучения.
51 Шорников А.В. Разработка модуля уведомления и контроля для мониторинговой системы на основе GSM модема SIM 900
52 Шура Е.С. Разработка технологического маршрута для изделия 431DMK с резисторами на основе поликремния, легированного бором.
53 Эзопова-
Сорокина Е.А.
Разработка биморфного пьезокерамического чувствительного элемента для датчиков угловых скоростей с использованием пленочных технологий.
54 Юхневский П.В. Разработка модулей распределенной интеллектуальной системы сетевого мониторинга и управления на базе беспроводных сенсорных сетей для различных областей применения.
55 Ямщиков С.С. Разработка беспроводной системы мониторинга, телеметрии и управления на основе ячеистых сетей типа ZigBee