МИЭТ

Национальный
исследовательский
университет

Орден трудового красного знамени
Рейтинг QS
Кафедра интегральной электроники и микросистем  
Заведующий кафедрой: академик РАН, д.т.н., профессор Юрий Александрович Чаплыгин
телефон: (499) 720-87-24, факс: (499) 710-19-65, внутренний телефон: 29-24, 25-95
E-mail: ieem@miee.ru
Аудитория: 4238

Специалисты 2009

1. Мельников А.Л. Создание чувствительного тонкопленочного элемента микроболометра на основе титана для инфракрасного датчика.

2. Петрин А.А. Разработка методик контроля параметров ПШТ на основе наноструктур с гетеропереходом.

3. Забавин А.С. Разработка функционального генератора сигналов специальной формы.

4. Чистовский А.А. Разработка системы измерения дистанции в водной среде с использованием импульсных гидроакустических сигналов.

5. Киреев А.А. Разработка оптического элемента для фарадеевского вращателя на основе ТГГ.

6. Минаева М.Г. Разработка схемы защиты и управления светодиодной фары автомобиля.

7. Хмеликовой К.Р. Разработка пьезокерамического гироскопа.

8. Иванова Г.А. Разработка p-i-n детектора ядерных излучений.

9. Швецова М.С. Разработка конечного автомата преобразования данных ГОСТ Р 52070-2003 вычислителя навигационной системы.

10. Селецкий А.В. Разработка технологии и конструкции МОП-структур с металлическим затвором и двухслойным подзатворным диэлектриком для топологической нормы 0,18 мкм.

11. Латыпова К.Р. Разработка периферийных элементов для технологии с высоковольтными и субмикронными КМОП-транзисторами.

12. Якушкин И.П. Разработка ячейки коммутации цифровых сигналов системы передачи данных.

13. Зенкин Д.Д. Разработка синтезатора частот СВЧ-диапазона.

14. Рахманова О.В. Разработка процессов ионного легирования для формирования КМОП-структуры в стабилизаторе напряжения.

15. Кудряшов В.А. Исследование автоэмиссионных характеристик наноуглеродных эмиттеров, полученных в различных технологических режимах.

16. Гуреев П.В. Разработка демонстрационно-отладочного комплекса для восьмиразрядных RISC-микроконтроллеров.

17. Лукьянов М.А. Расчет вольтамперных характеристик элемента энергозависимой памяти на основе МОНОП структуры для режима считывания.

18. Волхонский С.М. Разработка процессов получения N+ скрытых слоев ионным легированием сурьмой для биполярной технологии.

19. Козлова М.И. Разработка сцинтилляционного датчика для интроскопии на основе Zn Se (Te).

20. Овчинников Э.Н. Разработка измерительного усилителя на базовом кристалле.

21. Осипов О.Е. Разработка источника опорного напряжения на основе базового кристалла.

22. Кашеварова О.В. Разработка процесса ионной имплантации биполярного n-p-n транзистора в понижающем регуляторе напряжения.

23. Скворцов М.Ю. Разработка магнитооптического датчика магнитного поля на основе эффекта Фарадея в пленках феррит-граната (датчика положения).

24. Романов Д.А. Исследование экспериментальных образцов сегнетоэлектрических конденсаторов для СБИС энергонезависимой памяти.

25. Мартынов В.В. Исследование компаратора напряжения, изготовленного по быстродействующей комплементарной биполярной технологии.

26. Иващенко Д.Н. Разработка устройства контроля уровня ИК-излучения для изделия КПА Л370-5.

27. Журавлев Н.С. Разработка системы термостабилизации датчика ИК-излучения для изделия КПА Л370-5.

28. Уласевич Д.В. Разработка программы визуализации результатов приборно-технологического моделирования.

29. Свищенко А.В. Разработка управляющего модуля поворотного следящего привода устройства Л370-5.

30. Греков М.А. Разработка инжекционного фотодиода на основе твердых растворов соединений Zn Cd Te.

31. Алиева Г.А. Проектирование аналогового синтезатора частоты.

32. Анащенко В.В. Разработка элементов протяженных гидроакустических антенн с цифровым выходом.

33. Прокопочкин П.А. Разработка и исследование преобразователя дозы нейтронного излучения на основе p-i-n диода.

34. Свитнев Л.И. Исследование и разработка конструкции и технологии изготовления чувствительных элементов преобразователей давления на основе пьезоэлектрических пленок.

35. Скрябина Е.Ю. Разработка конструкции и технологии изготовления жестких центров мембран интегральных преобразователей давления.

36. Крюченков Р.А. Разработка биморфного пьезокерамического реле.

37. Мажукина Н.В. Разработка пьезокерамического микрофона для космических исследований.

38. Чернова Ю.А. Разработка и исследование тактильного датчика давления на основе кремниевого преобразователя давления.

39. Егоров А.А. Исследование процесса глубокого анизотропного травления кремния для изготовления МЭМС.

40. Ксенофонтова Н.В. Разработка многослойного планарного пьезокерамического актюатора.

41. Хаманов М.С. Разработка макета датчика постоянного магнитного поля с использованием пьезокерамического актюатора.

42. Сердюков К.В. Разработка приемника давления с цифровым выходом с динамическим диапазоном до 96 дБ.