МИЭТ

Национальный
исследовательский
университет

Орден трудового красного знамени
Рейтинг QS
Кафедра интегральной электроники и микросистем  
Заведующий кафедрой: академик РАН, д.т.н., профессор Юрий Александрович Чаплыгин
телефон: (499) 720-87-24, факс: (499) 710-19-65, внутренний телефон: 29-24, 25-95
E-mail: ieem@miee.ru
Аудитория: 4238

Магистры 2010

  1. Сидельников Е.А. Разработка программной среды функциональной верификации устройство с интерфейсом WISHBONE.

  2. Краева П.А. Исследование и разработка конструкции и технологии изготовления электростатического микропривода.

  3. Кудрявцев С.А. Разработка СФ блока «Мост шин AXI-PCI» для СБИС СнК контроллера канала Fiber Channel.

  4. Фирсов А.С. Исследование особенностей процедур физической верификации и экстракции активных и пассивных приборов для радиационно-стойких КНИ СБИС.

  5. Широков А.А. Разработка тестового стенда для микросхемы синтезатора частот 1508ПЛ9Т на базе подключения внешних устройств.

  6. Волков В.В. разработка ИС контроллера реального времени с последовательным интерфейсом.

  7. Семенов А.Н. Разработка и исследование управляемого по частоте интерфейса передачи данных на основе интерфейса I2C в базисе БМК.

  8. Бухлин М.В. Разработка и исследование функциональных блоков интегральной схемы контроллера импульсного сетевого преобразователя.

  9. Никулин А.О. Разработка и исследование радиационно-стойких КМОП КНС источников опорного напряжения.

  10. Макарцев А.М. Разработка контроллера памяти для DDR DRAM.

  11. Латышев Н.В. Разработка и исследование микросхемы аналоговой части дымового оптического пожарного извещателя.

  12. Зубов И.А. Исследование методов улучшения характеристик и разработка аналого-цифрового преобразователя конвейерного типа.

  13. Росляков А.С. Исследование возможности создания БИС помехоустойчивого микропотребляющего кодека.

  14. Орлов Д.В. Разработка и исследование маршрута проектирования цифровых фильтров на БМК.

  15. Дьяков П.Л. Разработка и исследование работы конвертеров интерфесов RS-232-CAN, RS-422-CAN, RS-232/422-USB.

  16. Ильин С.А. Разработка методики тестирования библиотек стандартных цифровых элементов, основанной на применении специализированных программных средств.

  17. Поляшов В.А. Разработка микросхемы супервизора питания.

  18. Маланов И.П. Разработка 8-разрядного быстродействующего ЦАП для использования в многоразрядном интегральном АЦП.

  19. Кульков Е.А. Разработка алгоритмов автоматизированного расчета и синтеза аналоговых мониторов напряжения в БиКМОП.

  20. Смирнов П.В. Исследование и разработка высокоточного источника опорного напряжения – аналога ИМС AD780 ф. Analog Devices.

  21. Совков А.С. Разработка и оптимизация блока управления и защиты памяти.

  22. Мигалин Д.С. Разработка ячейки ввода-вывода КМОП ИС с ограниченным шумом di/dt и стабилизацией характеристик относительно колебания параметров техпроцесса, напряжения и температуры.

  23. Ангел М.Н. Исследование возможности создания КМОП КНД транзисторов для высокочастотных схем.

  24. Братцев А.С. Разработка и исследование методов определения параметров КМОП КНИ транзисторов из вольт-амперных характеристик.

  25. Игумнова А.И. Исследование и разработка конструкции и технологии изготовления тензорезистивного преобразователя абсолютного давления с использованием технологии поверхностной микромеханики.

  26. Кузнецов С.Н. Анализ электрофизических параметров МОП КНИ структур из вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик.

  27. Мухачева Н.В. Исследование влияния обработок поверхности кремния в газофазной среде на характеристики выращенных на этой поверхности тонких окислов.

  28. Кузьмин И.В. Анализ деградации МОП-транзисторов под воздействием горячих носителей.

  29. Стариков В.А. Разработка методики создания трехмерных параметризованных моделей КНИ МОП транзисторов различных типов.

  30. Александров Н.С. Разработка СФ-блока AES шифратора.

  31. Петров Д.В. Исследование методов повышения радиационной стойкости микропроцессорных СБИС.

  32. Волкова Е.И. Разработка восьмиканального двунаправленного приемопередатчика с тремя состояниями на выходе на основе спецстойкого БМК для технологии КНС 1,6 мкм.