МИЭТ

Национальный
исследовательский
университет

Орден трудового красного знамени
Рейтинг QS

Тимошенков Валерий Петрович

доктор технических наук, доцент
Тимошенков Валерий Петрович
Телефон: (499) 720-87-24
E-mail: ieem@miee.ru
Аудитория: 4238

ПодразделениеДолжность
Кафедра интегральной электроники и микросистемпрофессор

Краткая биография

Общий стаж работы и стаж работы по специальности – 33 года.

В 1980 г. окончил МИЭТ по специальности «Автоматика и электроника».

В 1980-2001 гг. – инженер, старший инженер, ассистент, доцент кафедры ФТИМС (в настоящее время кафедра ИЭМС) МИЭТ.

В 2001-2012 гг. – ведущий инженер в компаниях MultiLink, Pulse~Link и Semtech (США).

С 2013 г. по настоящее время занимает должность профессора кафедры ИЭМС МИЭТ.

В 1991 году защитил кандидатскую диссертацию в МИЭТ по специальности 05.27.01 на тему «Разработка и исследование специализированных арсенид-галлиевых ИМС для сверхбыстродействующей измерительной аппаратуры».

В 2013 году защитил докторскую диссертацию в МИЭТ по специальности 05.27.01 на тему «Схемотехника СВЧ- систем на кристалле с использованием кремниевых гетероструктурных биполярных транзисторов».


Читаемые курсы

За время работы в МИЭТ им подготовлены курсы лекций «Элементная база систем связи», «Элементная база аналоговых ИМС».

В настоящее время читает курсы лекций:

  • Элементная база систем связи
  • Интегрированные среды проектирования

Научная деятельность

За успешную научную работу в 1991 г. Тимошенков В.П. награжден нагрудным знаком «Лучшая научно-техническая разработка».

Научная деятельность, области научных интересов: СВЧ интегральная схемотехника на GaAs и SiGe.

Автор более 50 печатных работ.

Перечень основных публикаций:

  1. A dual bridge 6 Gs/s track and hold circuit in Al/Ga/As/ Ga/As/ Al/Ga/As HEMT technology/ V.Timoshenkov E.Busheri, V.Bratov, et al. // Electron. Letter. – 1998, V.34, № 10. – P.934.
  2. Ultra-low power source coupled FET logic gate configuration in GaAs MESFET technology/ V.Timoshenkov, V. Bratov, V.Staroselski, T.Schlichter, et al. // Electron. Lett., – 2000, V.36, № 1. – P.36-38.
  3. Тимошенков В.П., Миндеева А.А., Кобзев Ю.М // Сборник лабораторных работ по элементной базе систем связи. Под ред. Тимошенкова В.П. -М.: МИЭТ, 1998 г. - С. 56.
  4. Тимошенков В.П. Старосельский В.И. и др. Проектирование элементной базы арсенид-галлиевых БИС БМК // Электронная промышленность. – 1995.- № 5. – С.125-129.
  5. Тимошенков В.П. Интегральная схема синхронизатора на арсенид- галлиевых гетеропереходных транзисторах // Оборонный комплекс- научно-техническому прогрессу России.– 2006, – N2. - С.41-44.
  6. Тимошенков В.П. Расчет индуктивности корпуса для СВЧ интегральных микросхем // Известия вузов. Электроника. – 2006. N4 – С.14-18.
  7. Тимошенков В.П. Состояние и перспективы развития технологии кремниевых гетеропереходных биполярных транзисторов для СВЧ применений // Известия вузов. Электроника.– 2006. N5. – С.16-19.
  8. Тимошенков В.П Усилитель ограничитель для скорости передачи данных 25 Гбит/с // Радиотехника и электроника.– 2007, - Т.52, №6. – С.760-765.
  9. Тимошенков В.П. Интегральные схемы усилителя ограничителя и синхронизатора на основе гетеропереходных арсенид-галлиевых транзисторов // Радиотехника и электроника. - 2007, - Т.52,№7, - С.888-896.
  10. Новожилов В.Е Тимошенков В.П. Высокоскоростное преобразование кода NRZ в код RZ // Оборонный комплекс- научно-техническому прогрессу России.– 2007. N2. – С.73-80.
  11. Братов В.А., Тимошенков В.П. Преобразователь кодов NRZ в NRZM на арсенидгаллиевых гетеропереходных биполярных транзисторах // Известия вузов. Электроника. - 2008, N1. - С.26-36.
  12. V. Bratov V. Timoshenkov NRZ to NRZM Code Converter Base on Gallium-Arsenide Heterojunction Transistor // Semiconductors. – 2008,-Vol42. No.13. – P.1545-1551.
  13. Тимошенков В.П. Сверхширокополосный трансивер гигагерцового диапазона на SiGe транзисторах // Известия вузов. Электроника. - 2010, N3(83). – С.20-26.
  14. Тимошенков В.П. Интегральный эквалайзер гигагерцового диапазона на гетеропереходных биполярных транзисторах // Известия вузов. Электроника. – 2010, N4(83). – С.20-27.
  15. Timoshenkov V.P. Ultrawide-Band Gigahertz-Range Transceiver Based on SiGe Transistors // Semiconductors.- 2011, Vol. 45, No. 13. P.1661–1669.
  16. Timoshenkov V.P. An Integrated Equalizer of the Gigahertz Range Based on Heterojunction Bipolar Transistors // Russian Microelectronics/ – 2011, Vol. 40, No. 7 / – P.446–452.
  17. Тимошенков В.П. Тимошенков А.С. Шалимов А.С. Восстановление импульсных сигналов в кабельных линиях связи // Инженерный вестник Дона.-2012…-.№4…(часть…2).-…
  18. Тимошенков В.П. Кремниевые биполярные гетероструктуры и проектирование СВЧ интегральных схем на их основе, кн. Нанотехнологии в электронике / Под ред. Чаплыгина Ю. – М.: РИЦ Техносфера, 2013. – С.592-668.