МИЭТ

Национальный
исследовательский
университет

Орден трудового красного знамени
Рейтинг QS

Матюшкин Игорь Валерьевич

кандидат физико-математических наук
Матюшкин Игорь Валерьевич
Телефон: (499) 729-75-70
E-mail: dicd@miee.ru
Аудитория: 4129

ПодразделениеДолжность
Кафедра проектирования и конструирования интегральных микросхемдоцент

Краткая биография

Закончил в 1997 г. факультет физико-химической биологии МФТИ.

Совмещая обучение в аспирантуре МФТИ, работал научным сотрудником в ОАО «НИИ молекулярной электроники и завод Микрон»; после защиты диссертации в 2000 г. продолжил работу на «Микроне» в должности начальника лаборатории; в 2005 г. перешел работать на кафедру ПКИМС.

Стаж работы по специальности – 20 лет; стаж преподавательской работы – 15 лет (с 2005 г. – на кафедре ПКИМС).

Научная специальность 05.13.18 – «Математическое моделирование, численные методы и комплексы программ».


Читаемые курсы

  • «Геометрическое моделирование в САПР»
  • «Маршруты проектирования интегральных микросхем»
  • «Концептуальные основы проектирования»
  • «Проектирование электронной компонентной базы»
  • «История и методология науки и техники в области электроники»

Научная деятельность

Область научных интересов – математическое моделирование, метаматематика и философия науки, клеточные автоматы, моделирование наноразмерных систем, моделирование технологических процессов микро- и наноэлектроники

Основные публикации:

  1. Матюшкин И.В. К вопросу о формализации научно-технического прогресса на примере микроэлектроники // Исследовано в России (эл. ж-л), 2000г., 020//000303, стр. 282-291 - http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2000/020.pdf
  2. Красников Г.Я., Зайцев Н.А., Матюшкин И.В. Математическое моделирование кинетики высокотемпературного окисления кремния и структуры пограничного слоя в системе Si-Si02.- //Физика и техника полупроводников, т.37, №1 2003г.- стр. 44-50.
  3. Зайцев Н.А., Матюшкин И.В., Шамонов Д.В. Об особенностях численного решения уравнения Томаса-Ферми для центрально-симметричного атома // Микроэлектроника. 2004. Т. 33. № 5. С. 372-378.
  4. Матюшкин И.В. Методика компарации способов коррекции оптических эффектов близости при формировании топологии на фоторезисте // Нано- и микросистемная техника. 2010. № 12. С. 5-10.
  5. Красников Г.Я., Зайцев Н.А., Матюшкин И.В., Коробов С.В. Особенности визуализации клеточных автоматов в области наноэлектроники // Компьютерные исследования и моделирование. 2012. Т. 4. № 4. С. 735-756.
  6. Matyushkin I.V. Bridged quantum cellular automata based on Si/SiO2 superlattices // World Academy of Science, Engineering and Technology. 2011. Т. 74. С. 329-334.
  7. Матюшкин И.В. и др. Автоэмиссия из наноструктур на основе карбида кремния и влияние на нее образующихся субоксидных SiOх-покрытий часть I. // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2013. № 4. С. 3-12.
  8. Матюшкин И.В. Моделирование и визуализация средствами MATLAB физики наноструктур, М.: РИЦ "Техносфера", 2011. - 188 с.
  9. Матюшкин И.В. Маршруты проектирования интегральных микросхем: системный уровень. Уч. Пособие под ред. Сухопарова А.И., М.: МИЭТ, 2008. – 176 с.